型号 | IPA65R110CFD |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 |
IPA65R110CFD PDF | ![]() |
代理商 | IPA65R110CFD |
标准包装 | 500 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 31.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 12.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 1.3mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 118nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3240pF @ 100V |
功率 - 最大 | 34.7W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 | PG-TO220 整包 |
包装 | 管件 |
其它名称 | IPA65R110CFDXKSA1 SP000895230 |